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              砷化鎵或鍺單晶生長方法

              admin
              4個月前
              點擊: 479
              基本信息
              項目名稱 砷化鎵或鍺單晶生長方法
              合作方式
              金額 100萬-500萬
              行業 新材料信息技術
              項目地區 北京市 - 大興
              項目主要內容
              項目主要內容

              一種砷化鎵或鍺單晶生長方法。

              項目類型:材料科學

              所  在  地:北京市

              研究階段:中試階段

              合作方式:合作開發

              持  有  人:楊璇

              所在單位:中科晶電信息材料(北京)有限公司


              一種砷化鎵或鍺單晶生長方法,屬于晶體生長領域,其先將PBN用1200號砂紙修平至無明顯臺階,然后將其放入由去離子水、氨水及雙氧水混合的體積比例為2∶1∶1的洗液中浸泡30分鐘,之后再將PBN用去離子水洗凈;將PBN在180-220℃的真空狀態下用烘烤爐烘烤約30分鐘,然后再在900-1050℃的真空狀態下用烘烤爐烘烤30分鐘以上;向PBN中充入latm的高純氧氣,使PBN在900-1050℃的烘烤爐烘烤30分鐘以上;待PBN冷卻到50℃直接裝入干凈的多晶料,在2分鐘內完成裝料,該裝料環境溫度控制在20-25℃,濕度控制在40%以下;裝料完成后,按傳統VGF工藝完成單晶生長。


              本發明砷化鎵或鍺單晶生長方法不僅使生長的單晶中雜質B含量降低且保證襯底質量不受影響。


              適用于晶體生長領域。


              聯系人信息

               楊璇

               13681112310

              項目聯系信息
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